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廣州市尤特新材料有限公司

主營:濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨

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  • 鋁釹合金靶,釹鋁合金靶材,鋁釹靶材
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    大尺寸一體化鋁釹旋轉靶材及其制備方法,特別涉及一種大尺寸一體化鋁釹旋轉靶材的制備。真空熔煉和熱壓技術由于成分不均勻容易產生偏析,再加上靶材形狀受到限制,已經不能滿足靶材成分均勻、大尺寸一體化的要求。濺射靶材生產過程屬于有色金屬物理加工,生產過程中不涉及有毒有害原料和有毒有害“三廢”,國家對濺射靶材行業的研發、生產、銷售不存在特殊管制。采用超音速火焰(HVOF)和電弧噴涂技術制備金屬陶瓷/合金多層涂

    2024-08-15 面議/套
  • 高純鉻靶材,鉻靶材生產廠家,鉻靶材專業定制
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    ? ? ? 鍍膜靶材是用物理或化學的方法在靶材表面鍍層透明的電解質膜,或鍍一層金屬膜,目的是改變靶材表面的反射和透射特性。而鍍膜的方法有真空鍍膜和光學鍍膜,真空鍍膜和光學鍍膜的區別是什么。在19世紀末,ITO薄膜的研究工作開始真實地發展了起來,當時是在光電導的材料上獲得很薄的金屬薄膜。而關于透明導電材料的研究進入一個新的時期,則是在第二次世界大戰期間,主要應用于飛機的除冰窗戶玻璃。而在1950年,

    2024-08-15 面議/套
  • 旋轉靶材,旋轉硅靶,旋轉氧化鈮靶,旋轉硅鋯靶
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    ? ? ? 氧化鋅摻鋁(AZO)薄膜因無害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩定等優點得到廣泛的研究,尤其作為前電極應用在薄膜太陽能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中,磁控濺射技術具有成膜致密和成本低等優點,其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜,直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ,提高了實際應用中的成本,縮小了AZO薄膜的應用范圍。而

    2024-08-15 面議/套
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    ? ? 氧化鋅摻鋁(AZO)薄膜因無害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩定等優點得到廣泛的研究,尤其作為前電極應用在薄膜太陽能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中,磁控濺射技術具有成膜致密和成本低等優點,其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜,直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ,提高了實際應用中的成本,縮小了AZO薄膜的應用范圍。而采用

    2024-08-15 面議/套
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    真空噴涂硅靶材性能介紹及其優點 ? ? ? 尤特新材料供應各種靶材,噴涂法是利用高壓氣體(N2、H2 、混合氣體或空氣)攜帶粉末顆粒經縮放管產生超音速雙相流,在完全固態下撞擊基體,通過較大的塑性流動變形沉積于綁定背板表面而形成涂層,涂層逐層增厚,獲得陶瓷靶材。由基本的噴涂法又衍生出等離子體噴涂、電弧噴涂、超音速火焰噴涂、冷噴涂等噴涂成型技術。使用氧化鈮粉體和少量金屬Nb,用等離子體噴涂實現了工業化

    2024-08-14 面議/公斤
  • Nb2O5靶材,五氧化二鈮靶材,氧化鈮靶材價格
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    ? ? ? 旋轉靶材相對于平面靶材具有很多的優點,I)利用率高(70%以上)。甚至可以達到90%;2)濺射速度快,為平面靶的2-3倍;3)有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩定性好坐寸ο對于旋轉鍍膜靶材,要求旋轉靶`材為單根整體,或分段焊接在同一襯管上。以目前技術條件,旋轉靶材的制備方法主要包括熱等靜壓法、熱壓燒結法和澆鑄法,以上工藝各有優缺點,但是對不同尺寸的靈活控制難以滿足,尤其是熱壓燒結法只能生

    2024-08-14 面議/套
  • 氧化鋁靶材,氧化鋁管靶材,三氧化二鋁靶材
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    隨著人臉識別技術的愈發成熟,紅外手機人臉識別開始大量普及,成為當前市場的重要發展趨勢,而硅靶材作為手機玻璃蓋板的關鍵鍍膜材料,硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產品,獲得多家手機玻璃蓋板生產客戶的認可。光學器件應用范圍非常廣泛,主要包括智能手機、車載鏡頭、安防監控設備、數碼相機、光碟機、投影機等應用產品包括航空航天監測鏡頭、生物識別設備、生命科學中DNA測序等研究設備、檢查儀器鏡頭、半導體檢測

    2024-08-14 面議/套
  • 金屬鈮靶材,噴涂鈮管靶,綁定鈮靶材,一體鈮靶材
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    芯片行業擁有一條超長的產業鏈,其整體可分為設計、制造、封裝、測試四大環節。除了在設計領域。日本是主要的半導體材料生產國,并在半導體材料里長期保持優勢,體芯片需要19種左右的必須的材料,缺一不可,且大多數材料具備高的技術壁壘。薄膜復晶)、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。根據中國濺射靶材行業市場數據顯示:靶材在半導體材料中占比約為2.5-3%。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料,又

    2024-08-14 面議/公斤
  • 綁定硅靶,硅靶綁定,多晶硅靶,高純硅綁定靶
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    ? ? ? 目前芯片生產所使用的主流導體互連工藝中同時存在鋁和銅兩種導線工藝,一般來說110nm晶圓技術節點以上使用鋁導線,110nm晶圓技術節點下使用銅導線(應用在更小的納米制程中)。鈦是較為為常用的阻擋層薄膜材料之一,主要是半導體領域,對應的事導電層薄膜是鋁;鉭在高等的超大規模集成電路芯片中是阻擋層薄膜材料之一(相應的導電層薄膜為銅);鎢鈦靶:半導體芯片門電路接觸層和阻擋層;鈦材料作為鋁導線的

    2024-08-14 面議/套
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