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氧化亞銅（Cu2O）靶材 99.9%氧化銅靶材由于其特性，可以用于多種應用，包括但不限于： 1.??? 集成電路（IC）制造：在IC制造中，氧化銅靶材可以用于形成導電路徑、絕緣層和各種功能性薄膜。 2.??? 光伏產業：氧化銅靶材作為太陽能電池的核心材料，用于捕獲太陽光并轉化為電能。 3.??? 顯示技術：包括液晶顯示（LCD）和有機發光二極管（OLED）技術，靶材用于制造顯示屏的導電層和發光層。 4.??? 存儲技術：在硬盤驅動器
2024-06-21 面議/片 -
氧化銅（CuO）靶材 99.99%氧化銅（CuO）靶材 顏色：黑色 純度：3N,4N 規格：D25.4x6.35mm，D54x1.5mm，D101.6x3.175mm ? 氧化銅靶材（CuO target）是一種在半導體制造過程中使用的濺射靶材。濺射靶材是在物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）等半導體制造過程中，用于沉積形成薄膜或涂層的固態材料。這些薄膜或涂層在半導體器件中承擔電氣、光學或結構功能，是實現高性能半導體產品
2024-06-21 面議/片 -
氧化鉻（Cr2O3）靶材 99.99%氧化鉻靶材?氧化鉻顆粒 純度：99.99% 分子式：Cr2O3 分子量：151.99 CAS：1308-38-9 熔點:2435℃ 折射率：2.551 密度：5.21 顏色：暗綠色晶體 在10-4Torr蒸發溫度：200℃? 薄膜的機械和化學性質：對低的氧化物不相稱，空氣中600℃重新氧化；應用：吸收膜、制造低溫（900℃）紅釉、可加入搪瓷中可獲得綠色；用于搪瓷底釉或者面釉；可用于瓷釉中，以產生鉻
2024-06-21 面議/片 -
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氧化鎵（Ga2O3）靶材 99.999三氧化二鎵靶材 純度：99.999% 化學式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS：12024-21-4 熔點：1740℃ 三氧化二鎵用作高純分析**、應于電子工業半導體的制備。
2024-06-21 面議/片 -
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二氧化錳（MnO2）靶材 99.9二氧化錳顆粒 純度：99.99% 分子式：MnO2 分子量：86.94 CAS號：1313-13-9 熔點：535℃ 密度：5.03 二氧化錳用于金屬錳、特種合金和電子材料鐵氧體等，不適合電子束蒸發。
2024-06-21 面議/片 -
氧化鎂（MgO）靶材 99.99%氧化鎂靶材 純度：99.99% 分子式：MgO 分子量：40.3 熔點：2852℃ 沸點：3600℃ CAS號：1309-48-4 密度：3.58 外觀：白色 硬度：6.0-6.5 在10ˉ4真空下蒸發溫度為：1500℃? 溶 解 于：強酸，不溶于水和乙醇 透明波段：200-8000nm? 折射率(波長/nm)：1.85(220) ?1.7(500) 性能：有高度耐火絕緣性能，高溫下具有優良的耐酸
2024-06-21 面議/片
