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北京金源新材科技有限公司

主營:磁控濺射靶材,蒸發鍍膜材料,高純金屬材料

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  • 氮化鈦(TiN)靶材  99.9%
    氮化鈦(TiN)靶材 99.9%

    氮化鈦(TiN)靶材? 99.9% 純度:,3N 規格:D50.8X5mm,D76.2X6.35mm,定做 氮化鈦陶瓷靶材是一種極硬的鍍膜材料, 其熔點2950℃,密度 4.43g/cm?。 具有高熔點、高硬度、良好的化學穩定性和金屬潤濕性小結構材料,并具有高導電性和超導性。通常用作鈦合金、鋼、碳化物和鋁部件的表面涂層,以改善基材的表面性能。 ?

    2024-08-06 面議/片
  • 氮化硅(Si3N4)靶材 99.99%
    氮化硅(Si3N4)靶材 99.99%

    氮化硅(Si3N4)靶材 99.99% 純度:99.9% 分子式:Si3N4 分子量:140.28 CAS號:12033-89-5 密度:3.44 折射率:2.1 氮化硅是一種重要結構陶瓷材料,它是一種超硬物質,本身具有潤滑性,并且耐磨;為原子晶體;耐熱涂層,用于火箭和原子反應堆。 氮化硅陶瓷靶材是通過壓制和燒結而成的呈灰色固體材料, 其熔點1900℃,密度 3.20g/cm?。 氮化硅在微加工

    2024-08-06 面議/片
  • 碲化鉍(Bi2Te3)靶材 99.99%
    碲化鉍(Bi2Te3)靶材 99.99

    碲化鉍靶材(Bi2Te3)4N 理化性質碲化鉍是一種灰色的粉末,分子式為Bi2Te3。熔點:585?C. 相對分子質量: 800.76. CAS登錄號: 1304-82-1. 密度: 7.85g/cm3 (含量不同,密度不同,以實際要求為準.)碲化鉍是個半導體材料,具有較好的導電性,但導熱性較差。碲化鉍為間接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.145eV,電子和空穴遷移率分別為0.135和4.4×10-

    2024-08-06 面議/片
  • 碲化鉬(MoTe2)靶材 99.9%
    碲化鉬(MoTe2)靶材 99.9%

    碲化鉬(MoTe2)靶材 99.9%

    2024-08-06 面議/片
  • 高純釓(Gd)靶材 99.95%
    高純釓(Gd)靶材 99.95%

    產品信息 名稱: 釓靶材/Gd? 純度: 99.95% 尺寸:2英寸? 可定制 品牌:?金源新材 優勢:?純度高,導電性能好 工藝:熔煉 包裝:真空包裝 交貨期:3天 運輸:順豐快遞 起訂量:1片

    2024-08-06 面議/片
  • 高純鐵(Fe)靶材 99.95%
    高純鐵(Fe)靶材 99.95%

    產品信息 名稱: 鐵靶材/Fe Target 純度: 99.95% 尺寸: φ50.8*3,φ76.2*3 品牌:?金源新材 優勢:?純度高,導電性能好 用途: 磁控濺射鍍膜 工藝: 熔煉 包裝:真空包裝 交貨期:3天 運輸:順豐快遞 起訂量:1片

    2024-08-06 面議/片
  • 高純鉍(Bi)靶材 99.999%
    高純鉍(Bi)靶材 99.999%

    產品制作工藝 ?北京金源新材新材提供的金屬靶材按照生產工藝分為熔煉鑄造法和粉末冶金法兩種: ? 金屬靶材如鋁、銅、鐵、鎳等均采用熔煉鑄造工藝,以高純金屬為原料,通過熔煉、鍛造、熱處理和機械加工而成;產品優勢:純度高,晶粒尺寸小而均勻,表面平整。 ? 難熔金屬靶材如鎢、鉬、鉭、鈮、鉻等均采用粉末冶金工藝,以高純超細粉末為原料,通過熱等靜壓等工藝加工成坯,軋制熱處理,機加工后制成靶材;產品優勢:靶材孔

    2024-08-06 面議/片
  • 高純鉺(Er)靶材 99.95%
    高純鉺(Er)靶材 99.95%

    ? ? 產品信息 名稱: 鉺靶材/Er Target 純度: 99.9% 尺寸: 2英寸 品牌:?金源新材 工藝:熔煉 包裝:真空包裝 交貨期:3天 運輸:順豐快遞 起訂量:1片

    2024-08-06 面議/片
  • 高純鈷(Co)靶材 99.95%
    高純鈷(Co)靶材 99.95%

    高純鈷(Co)靶材 99.95%

    2024-08-06 面議/片
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