99.99%銀靶材,高純銀靶,4N銀

? ? ? 同時(shí)也對(duì)濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，高電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。平板顯示靶材技術(shù)要求也很高，它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。鋁、銅、鉬、鉻等，主要應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能靶材

2024-07-29 面議/套

旋轉(zhuǎn)鋯靶,鋯靶材廠家,鋯靶材

? ? ? 化學(xué)純度是影響薄膜材料性能的關(guān)鍵因素，高純金屬原材料是靶材生產(chǎn)制造的基礎(chǔ)。高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，在實(shí)際應(yīng)用中，通常使用多種物理、化學(xué)手段聯(lián)合提純實(shí)現(xiàn)高純材料的制備。我國(guó)雖然擁有豐富的有色金屬礦產(chǎn)資源，但我國(guó)高純金屬制備技術(shù)與國(guó)外相比仍存在一定差距，高純金屬有較重需從國(guó)外***。大部分國(guó)家范圍內(nèi)，高純金屬產(chǎn)業(yè)集中度較高，美、日等國(guó)家的高純金屬生產(chǎn)商依托先進(jìn)的提純技術(shù)在整個(gè)產(chǎn)

2024-07-29 面議/套

高純銦靶,旋轉(zhuǎn)銦靶材源頭廠

? ? ? 濺射靶材磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，

2024-07-29 面議/公斤

錳靶材,鈷靶材,錳鈷合金靶材

終端應(yīng)用是針對(duì)各類市場(chǎng)需求利用封裝好的元器件制成面向終用戶的產(chǎn)品，包括太陽(yáng)能電池、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費(fèi)電子產(chǎn)品，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，因此半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求是高的，通常要求達(dá)到99.9995% (5N5)以上，價(jià)格也為昂貴。相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽(yáng)能電

2024-07-29 面議/套

澆注銦靶材,綁定銦靶材,銦靶

尤特能提供的ito靶材比例有：90:10、95:5、97:3等；? ? 尤特新材料的高純旋轉(zhuǎn)銅管靶和旋轉(zhuǎn)鋁管靶成功在國(guó)內(nèi)數(shù)家TFT G8.5 線上量產(chǎn)使用，成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。尤特新材料生產(chǎn)靶材產(chǎn)品主要應(yīng)用在：建筑/汽車玻璃工業(yè)、薄膜太陽(yáng)能工業(yè)、平面顯示工業(yè)、裝飾/功能鍍膜工業(yè)、表面修復(fù)工業(yè)。 ? ? 主要產(chǎn)品有：旋轉(zhuǎn)銀靶、旋轉(zhuǎn)鋁靶、旋轉(zhuǎn)鋅鋁靶、旋轉(zhuǎn)鋅錫靶、旋轉(zhuǎn)鈮靶、旋轉(zhuǎn)銅靶、旋轉(zhuǎn)鈦鋁管靶、旋轉(zhuǎn)硅鋁靶

2024-07-29 面議/千克

平面銅靶,銅背板,綁定銅靶,

? ? ?銅靶材, 國(guó)內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢(shì)如何？目前全球高等靶材市場(chǎng)主要分布于韓國(guó)、寶島、中國(guó)、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國(guó)。中國(guó)市場(chǎng)目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長(zhǎng)之中，多條高世代液晶面板線（京東方，華星光電，惠科HKC，天馬，熊貓電子，三星蘇州，LG廣州等）正在建設(shè)或規(guī)劃建設(shè)中。然而中國(guó)ITO靶材被國(guó)外供應(yīng)商壟斷，國(guó)產(chǎn)靶材市場(chǎng)份額僅約5%。ITO靶材生產(chǎn)的主要原料為稀有金屬銦，中

2024-07-25 0

高純銀靶,4N銀管靶,99.99%銀

? ? ? 中興制裁與華為都給我們敲響警鐘，芯片等核心技術(shù)產(chǎn)業(yè)亟需發(fā)展，國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩。作為半導(dǎo)體材料中的重要一環(huán)—濺射靶材同樣如此，國(guó)產(chǎn)化是必然之路。真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，真空對(duì)環(huán)境的要求，一般包括真空設(shè)備對(duì)所處實(shí)驗(yàn)室（或車間）的溫度、空氣中的微粒等周圍環(huán)境的要求，和對(duì)處于真空狀態(tài)或真空中的零件或表面要求兩個(gè)方面。這兩個(gè)方面是有密切的。周圍環(huán)境的好壞直接影響真空設(shè)備的正常使用；而真空

2024-07-25 面議/公斤

冷噴涂鈮靶材 Nb濺射靶材 鈮

鈮鋯合金既保持了鈮的低溫塑性,具有比純鈮高的力學(xué)性能。鋯加入鈮中可提高合金的強(qiáng)度而不影響合金的塑性和加工性能,提高鈮的高溫強(qiáng)度和高溫舒緩反應(yīng)性,鋯還可以改善合金的舒緩反應(yīng)性和抗堿金屬腐蝕性能。NbZr10是一種新型的功能性鈮合金材料,經(jīng)過電弧爐熔煉,加入活性金屬元素Zr進(jìn)行固溶強(qiáng)化,同時(shí)加入C元素進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化,通過適當(dāng)?shù)募庸ず蜔崽幚韥砜刂瞥恋硐嗵蓟�物的形態(tài)的分布,以提高NbZr10合金材料的強(qiáng)度,

2024-07-25 面議/套

錳鈷濺射靶材,濺射靶材,錳鈷

多晶硅領(lǐng)域，日本日礦金屬、東曹公司，美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯公司，排名前五的企業(yè)產(chǎn)量約為23.7萬噸，百分點(diǎn)日本是大部分國(guó)家主要的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國(guó)，并在半導(dǎo)體材料里長(zhǎng)期保持較好優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片需要19種左右的必須的材料，缺一不可，且大多數(shù)材料具備非常高的技術(shù)壁壘。上的份額。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。日本是大部分國(guó)家主要的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國(guó)

2024-07-25 面議/套