旋轉氧化鈦靶,以純Ti粉末、FeAl粉末、CrFe 粉末為原料制得復合粉末,在 CLAM 鋼基材表面上采用熱噴涂-激光原位合成復合工藝制備了Al2O3-TiO2復相陶瓷涂層。 為了提高金屬結構材料表面的性能,國內外研究學者研發了耐高溫、耐高溫梯度、耐腐蝕以及抗輻照損傷的新材料,或者通過采取適當的表面改性技術直接在 ADS 系統主要候選金屬材料表面進行表面處理,如采用先進的表面改性技術制備高性能的涂
2024-08-17 面議/套旋轉硅鋁金靶,磁控濺射的應用領域:新興的電子行業,真空鍍膜法被大量應用于電阻、電容和半導體的制造,后來這一技術又逐漸發展成為集成電路和微電子器件的細微加工領域,并一直應用到現在;同樣新興的材料改性也需要提供大量具有特殊性能的工程材料,而在材料改性和薄膜技術方面真空電鍍又是走在了技術的****,特別是在高腐蝕、高耐溫、高度度、高潤滑等領域,真空鍍膜法有其強大的技術優勢并將一直發展下去。伴隨著磁控濺射
2024-08-17 0?靶材中毒是由于在濺射過程中帶有正電的離子聚集在靶表面。然后并沒有得到中和,便出現靶表面負偏壓逐步下降。這所謂的靶中毒現象。對于影響靶材中毒的因素是什么呢?1.影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。采用中頻電源或射頻電源打一個到兩個小時,可以恢復。
2024-08-16 面議/套? ? ? 稀土金屬鈰靶材Ce,金屬鉻靶材Cr,金屬鈷靶材Co,金屬銅靶材Cu,稀土金屬鏑靶材Dy,稀土金屬鉺靶材Er,稀土金屬銪靶材Eu,稀土金屬釓靶材Gd,鍺靶材Ge,黃金靶材Au,金屬鉿靶材Hf,稀土金屬鈥靶材Ho,金屬銦靶材In,金屬銥靶材Ir,金屬鐵靶材Fe,金屬鑭靶材La,金屬镥靶材Lu,金屬鎂靶材Mg,金屬錳靶材Mn,難熔金屬鉬靶材Mo,稀土金屬釹靶材Nd,金屬鎳靶材Ni,難熔金屬鈮
2024-08-16 面議/套濺射靶材制備電子薄膜的關鍵材料,也是濺射過程中的轟擊目標。鎢濺射靶材按照化學成分可以分為純鎢濺射靶材、鎢合金濺射靶材和氧化鎢濺射靶材。2019年,產業鏈各環節集中度進一步提高。多晶硅領域,日本日礦金屬、東曹公司,美國霍尼韋爾、普萊克斯公司,排名前五的企業產量約為23.7萬噸,約占全國總產量的69.3%,同比增長9個百分點日本是大部分國家主要的半導體材料生產國,并在半導體材料里長期保持優勢,生產半導
2024-08-16 面議/套ITO靶材市場應用狀況大部分國家2005 年需求563t,2007 年869t,2009 年1300t,2010 年1445t,2012 年將近2000t,每年以平均15%的增長率遞增。其中日本日礦材料公司占市場50%,日本三井礦業占25%,東曹占15%,科寧占10%,國內靶材公司占據數額幾乎可以忽略不計。 靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領域。貨品的深加工技術朝高純化、精細化
2024-08-16 面議/套ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質結光電器件與p-n結光電池比較具有工藝簡單,轉換效率高等特點。在靶材制造的過程中,需要經歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導體Si上形成勢壘作為
2024-08-16 面議/套目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術有很多,其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發、分子束外延等物理方法,以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。在這些制備技術中,磁控濺射鍍膜技術具有易于大面積鍍膜、工業化生產以及薄膜品質、成分、結構、均勻性等易于調控的優勢,是產業化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一,以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發光二極管
2024-08-16 面議/套? ? 尤特制備的AZO靶材,客供太陽能光伏和Low-e玻璃鍍膜用,AZO靶材能制備比例:98:2、99:1,化學式: AZO。? ? 磁控濺射靶材廣泛應用于用于建筑/汽車玻璃工業、薄膜太陽能工業、平面顯示工業、裝飾/功能鍍膜工業。隨著國內靶材行業研發的投入和發展,國內已有靶材供應商、制造商的生產出來的靶材達到了進口的水平。在廣州,尤特新材料成為全球全球較好個研制最長、最厚旋轉靶材的制造商,隨著研
2024-08-16 面議/公斤