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供應(yīng)4000A(400nm)植入式柵較氧化固態(tài)劑量計(jì)
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面議
供應(yīng)標(biāo)題:供應(yīng)4000A(400nm)植入式柵較氧化固態(tài)劑量計(jì)
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司
供貨總量:
聯(lián)系人:舒女士
發(fā)貨地點(diǎn):北京 北京 北京市
發(fā)布時(shí)間:2024年04月22日
有效期至:2024年06月21日
在線詢盤:在線詢盤
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:
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基本信息
4000A(400nm)植入式柵極氧化固態(tài)劑量計(jì)
技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度4000A輻射Vth靈敏度
輻射場(chǎng)= 0.125 MV/cm : 靈敏度= 1.33mV/rad 輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.463mV/rad (靈敏度在 1.5 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個(gè)恒量10µA)
溫度補(bǔ)償TVTC 2.5mV/°C(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.)
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -500nA(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -1µA(使用以下讀寫器電路配置)
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)閾值電壓(外推) -1.0 +/- 0.4V
Vth漂移時(shí)間(秒) 2.5mV/十年(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA)
氧化層擊穿電壓~280V
溝道漏電流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA
亞閾值斜率220 +/- 20 mV/decade
溝道電阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms
福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、同軸高純鍺探測(cè)器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測(cè)器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測(cè)器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀(現(xiàn)場(chǎng)使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測(cè)器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。
北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司基本信息
員工人數(shù): 廠房面積: 年?duì)I業(yè)額:
年進(jìn)口額: 年出口額: 主要市場(chǎng):,,
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公司名稱:北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司
注冊(cè)資本: 公司網(wǎng)址:http://wahenyida.glass.com.cn主營(yíng)產(chǎn)品:硅條探測(cè)器+塑料閃爍體+微通道板(MCP)+單通道電子放大器(CEM)+電荷靈敏前置放大器(chargesensitivepreamplifier):++++++++ 公司成立年份:
公司網(wǎng)址:http://wahenyida.glass.com.cn
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