太陽能管全電熔玻璃池窯

秦皇島騰創(chuàng)應用玻璃技術有限公司所設計和施工的硼硅3.3玻璃系列太陽能窯爐已有50多臺。

1、技術可靠性

由于采用國際上先進的電熔化技術，實行冷頂垂直熔化，面積熔化率可達1.8T/M2×24小時，B2O3的揮發(fā)小于5%，其技術參數(shù)、運行參數(shù)均已能成熟控制，窯爐所用材料均為國內(nèi)采購，關鍵部位的電極、水套、電熔耐火材料、恒流控制柜均為國內(nèi)廠家或我公司生產(chǎn)，因此其制造成本遠低于火焰窯。經(jīng)實踐證明是可靠的。

2、技術先進性

本公司所研發(fā)的硼硅3.3玻璃系列窯爐均是我公司在低熔化量的熔爐上逐步改造發(fā)展而成。根據(jù)硼硅3.3玻璃的料性特點重新設計窯爐結構以及電極布置，增加熔化部的池深，延長玻璃的澄清時間，調(diào)整電極的相對位置，使窯爐的熱點集中，從而減少熔化時間，提高熔化效率，降低能耗。目前我公司所建的12M2、15M2、18M2、21M2窯爐在國內(nèi)國外各廠家運行都取得了良好的經(jīng)濟效益。

3、設備安全性

硼硅3.3玻璃系列窯爐在設計過程中始終考慮安全性，首先玻璃熔化生產(chǎn)本身就是高溫作業(yè)而采用電熔化工藝，硼硅3.3玻璃的熔化溫度高達1680度，所以我們選用國內(nèi)的優(yōu)質(zhì)耐材，以及堅固合理的鋼結構系統(tǒng)。采用優(yōu)質(zhì)的保溫耐材，做好窯爐鋼結構接地等措施，創(chuàng)造好的工作環(huán)境。保證操作人員的安全和窯爐運行安全。

4、環(huán)保與節(jié)能

硼硅3.3玻璃電熔工藝，較大特點就是減少揮發(fā)組份的揮發(fā)，本料方中沒有一種物質(zhì)是有毒有害物質(zhì)，而且排放氣體中無二氧化碳氣體，所以是一種超環(huán)保的項目。

5、幾種類型全電熔玻璃池窯的結構特點

目前我們設計制作的有三種：靠前種是水平側插電極，多邊型結構。第二種是垂直底插電極T型結構。第三種是頂插電極式多邊型或矩型結構。

5.1靠前種一般情況下熔化面積小于10M2，多數(shù)為不等邊六角型，根據(jù)情況選擇電極放在長邊還是短邊。窯的深度一般在2.0米以上。電極在窯的深度方向上分三層或四層。熔窯的控制方式為可控硅→干式（或油浸）隔離變壓器→窯爐電極，其特點是簡單、成本較低、控制靈活。利用單片機實現(xiàn)恒流或恒功率，自動控制，由液晶顯示，顯示熔窯內(nèi)每一根電極的電流、每相之間的電壓、每根電極的電阻，以及總的平均電阻。由于這類窯型的窯爐水平電極設置得很多，一般情況在18～36根之間，所以調(diào)節(jié)的手段很多，除了調(diào)節(jié)每一層的恒流值，還可以分別調(diào)節(jié)每一根電極、每一層電極、每一側電極，達到熔化目的。它相對于底插式或頂插式窯型來說造價要高，玻璃液單耗能要大，但是玻璃液質(zhì)量要優(yōu)于其他窯型，且調(diào)節(jié)手段較多，適合制作高檔次產(chǎn)品。

5.2底插電極多邊型T型結構全電熔池窯一般窯深在2.5米左右，熔化面積9～30M2，電極的布置只有兩層，一層為啟動電極（可底插，也可水平側插）一層為主電極，一般情況下6、12、18、24根電極，根據(jù)面積不同設置電極的多少不同。這種結構形式的窯爐正常情況下一般只調(diào)整和控制主電極，輔助電極不使用，其控制方式同靠前種，多邊型T型窯爐結構簡單，造價相對較低，由于送電方式的合理，其能耗是幾種窯型里較小的，適合于產(chǎn)量相對大的產(chǎn)品。也是應用較多的窯型。

5.3頂插式電極多邊型全電熔池窯一般窯深大于2米，熔化面積10～30平方米，電極布置方式，窯爐下部有底部垂直插入或水平側插啟動電極。電及的數(shù)量與T型底插相差不多。采用可控硅恒流調(diào)壓輸入隔離變壓器1次，隔離變壓器二次熔窯電極，啟動電極為一回路，主電極為一回路，正常生產(chǎn)過程中，主電極輸入80～90%的熔化功率，啟動電極輸送10～20%的熔化功率。根據(jù)熔窯規(guī)模的大小以及熔化玻璃種類的不同，分別采用三相三個繞組六個端子的控制方式。

6.料道情況，我公司設計和生產(chǎn)的窯爐根據(jù)用戶要求和出料量大小，采用一條、兩條、三條等料道的情況均有，并配備我公司專為此設計的料船、攪拌槳、供料機等。

7我公司針對太陽能管的生產(chǎn)，還配套了X-Y自動布料機、扇型自動布料機、旋轉自動布料機、液面儀、真空跑道、保溫跑道、測徑儀、拉管機、截頭機、轉彎機、梳理機、包裝機等全部的配套產(chǎn)品。