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氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材
基本信息
科研實驗專項使用氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料
產品介紹
氧化鉿(HfO2)常溫常壓下為白色固體,熔點:2758℃,沸點:5400℃,密度:9.68g/cm³,難溶于水,常溫常壓下穩定,避免與酸接觸;當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿;也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料;是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料,近來在工業界特
產品參數
中文名 二氧化鉿 化學式 HfO2 沸點 5400℃
分子量 210.49 熔點 2758℃ 密 度 9.68g/cm3
純度 99.99%
強烈建議陶瓷化合物靶材綁定背靶使用。陶瓷靶材質脆,受熱不均勻易裂。不建議超過3mm。 推薦綁定銅背靶,以增強導熱導電性。減少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差,連續長時間濺射易發生裂靶情況,綁定背靶后,可以提高化合物靶材的導熱性能,提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率,從而提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您,選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!
可根據您的要求定制各類特殊合金靶材,各種合金配比、靶材形狀(平面靶、多弧靶、旋轉靶及其它異形靶材)、尺寸規格均可定制。歡迎咨詢。
北京晶邁中科材料技術有限公司基本信息
北京晶邁中科材料技術有限公司創建于2016年,是國內有色金屬行業綜合性研究開發公司。 現有員工100余人。我公司光學鍍膜材料中心以國內的技術,多年來一直有經驗從事光學鍍膜材料及濺射靶材的研發與生產。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復合物、金屬及合金等,也可根據您的要求量身定做。通過嚴格控制生產、并持續改進、穩步發展,致力為客戶提供的產品。 公司現有靶材熱壓爐;真空蒸餾裝置,電解槽,單晶爐,區熔裝置,CVD(化學氣象沉積)裝置,PVD(物理氣象沉積)裝置,移動式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產研發設備;提純工藝包括:真空蒸餾;精餾;區域熔煉;電解;化學氣象沉積;物理氣象沉積;熱擴散;單晶提拉法等。純度從99.9%-99.99999%,公司先后研發的蒸發材料、濺射靶材系列產品,產品涉及工具/裝飾鍍膜、玻璃鍍膜、光學鍍膜、平面顯示/觸摸屏鍍膜、薄膜太陽能鍍膜等多個領域廣泛應用到國內外眾多知名太陽能、航空航天、生物健康、軍工微電子、信息儲存、汽車、船舶、裝飾、工業鍍膜、新能源企業當中。 自有設備:真空熱壓爐,真空中頻感應熔煉爐,冷坩堝懸浮熔煉爐,非自耗真空電弧爐,真空高溫加熱爐,真空燒結爐,真空蒸餾爐,定向凝固,區域熔煉爐,多溫區加熱爐,單晶爐,高溫燒結爐,單溫區,雙溫區、多溫區液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設備。 北京晶邁中科材料技術有限公司幾年來已先后與國內幾十家知名高校、中科院等研究院所建立了長期友好的合作關系,并與這些科研單位有密切的學術交流和技術合作項目,并遠銷歐洲、美國、日本、韓國等,在鍍膜行業擁有良好的聲譽。
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