作為第二代的多元金屬化合物薄膜太陽能電池，是業界公認的對傳統晶體硅太陽能電池的替代產品，而其中的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池又是較為的。近日，臺灣威士通太陽光電研究所推出了目前全球較新較先進的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池制造技術與生產設備，并在大陸注冊了推廣機構（遼寧陸臺太陽能光伏科技開發有限公司）并派駐了首席代表，地點設在遼寧省的沈陽市。

技術特點：

先進處之一：先進在鍍膜技術上與鍍膜面積大。制造銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的較核心技術，就在膜層的沉積及其硒化熱處理結晶的工藝上。目前世界上只有德國、瑞士、日本和美國等極少數國家擁有這項技術，臺灣在這項技術上已超越了這幾個國家。銅銦鎵硒薄膜太陽能電池膜層的制程，是多年來業界所追求的能低成本技術，而其中的硒化熱處理更是業界長久以來未能突破的較關鍵性技術，近年來全球為攻克此項技術的研發費用已燒掉了上百億美元，目前已取得領先地位的這幾個國家，使用的都是高溫氣體硒硒化熱處理，還不甚理想，因為硒化爐主要是以石英管為體、硒化氫氣體為原料，因受石英管的限制，操作面積小、升溫慢、降溫更慢（約需10小時），且產成品的優良率低，另外，硒化氫氣體容量爆炸，材料價格也比較高，而臺灣研發成功的是低溫固體硒硒化熱處理，這是對此項關鍵技術的革命性突破。此外，鍍膜面積達1～2平方米，是目前全球鍍膜幅面較大的，而且膜層均勻度公差小于3%，且制程速度快，成本比國外工藝節省10倍。

先進處之二：先進在轉換率可以在同機上持續提升。使用本技術鍍膜的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的實驗室轉換率已達29%，這是所有已知各種材料的太陽能電池較高的，目前首次定制的實際轉換率是11～12%，居所有已知薄膜太陽能電池之首，它雖然沒有晶體硅太陽能電池初始轉換率高，但它不存在衰退問題，相反其轉換率還會與時俱增，而晶體硅太陽能電池的轉換率卻與時俱減，且衰退速度極快。本項技術的較大特點是預設了后續提高轉換率的因子，隨著對鍍腹操作熟練程度的提高，可隨時改變預設參數陸續提高相應的轉換率，而且是在同一個設備上提升，無須再重復更換新的設備。作為多元金屬化合物薄膜太陽能電池，比晶體硅太陽能電池對太陽光波長的敏感度都高，光譜吸收范圍也很大，即使是在弱光條件下仍可吸收光源而產生電能，而采用較新鍍膜制程獲得優質膜層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池則更顯突出，同樣1W設備在同樣天候下，銅銦鎵硒薄膜太陽能電池是晶體硅太陽能電池發電量的1.3倍。

設備特點：

先進處之一：優化的30兆瓦整廠生產設備。全制程的設備都是自主研發的，沒有任何嫁接和拼湊，Turn－Key底子雄厚，經驗豐富，整廠成套生產線中關鍵設備均為自廠制造，一是確保設備的質量，穩定性世界靠前，能保障穩產高產，二是整廠成套生產線優化到了良好，從而控制了設備的制造成本，價格要比國外同樣產能的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產線低很多。三是利用整廠成套生產線可以在廠內自制靶材和廠內貼合，實現生產成本與產品成本的自主控制。四是設備對模層要求含量的設定是共蒸和濺鍍，可做任意修改，任意選擇膜層的摩爾比，預留的可變因子可用于調整銅銦鎵硒結晶的各種準確組合，方便于后期電池片轉換率的預期升級。

先進處之二：擁有多項核心自主的技術專利。專利之一：銅銦鎵硒四元靶材、制法、靶背板接合方法及其補料方法(含四元靶材制作、靶背板制作及接合、靶材補料三種專利)。專利之二：銅銦鎵硒硒化熱處理方法及設備（真空、快速升溫、快速降溫、公轉、自轉、Se單體、S單體)1.4M×1.1M每批次2pcs約40分鐘。專利之三：銅銦鎵硒制程中的大型基板全方位調移系統（適用于立式濺射及熱處理制程等之基板承載）。專利之四：長線型熱蒸發源（長度可達到2米，膜厚均勻度在3%以內）。專利之五：銅銦鎵硒制程中的基板單面化學水浴鍍膜（CBD）制程及其設備（緩沖層的CdS鍍膜，其前趨溶液在每次反應后即成無害無污染廢水，此發明溶液用量較少可穩定成膜，降低成本并環保）。專長：銅銦鎵硒粉末系列制程（設備與Know How）。CuIn CuGa CIG CIGS等powder。專長：CIGS Turn－Key整廠輸出。