英格蘭 ASCOT 2008年5月21日電 -- 由 Element Six Ltd 研究人員指導、并與斯特拉斯克萊德大學 (University of Strathclyde) Institute of Photonics（光子學研究所，簡稱 IoP）合作進行的 Micromachined Diamond Device Initiative（微機械金剛石設備計劃，簡稱 MIDDI）圓滿結束。MIDDI 部分資金由英國貿工部 (UK Department of Trade and Industry) 提供，旨在研發大部分國家優異的金剛石微電子設備制造技術，讓歐洲公司比日本和美國公司更具競爭優勢。
　　
　　MIDDI 主要專注于研發一個擁有先進微納米制造技術的“工具箱”，該技術以合成單晶金剛石為基礎，可用于新一代高頻、高功率電子設備的開發。Element Six 在使用化學氣相沉積制造電子級合成金剛石領域處于較有優勢地位。MIDDI 進一步擴大了這種優異優勢。
　　
　　斯特拉斯克萊德大學 IoP 一直扮演提供等離子體刻蝕技術專長的角色，該技術被用于界定設備制造所要求的準確表面特征。該研究所成立于1995年，已經成為刻蝕材料方面的有經驗技術中心，刻蝕材料素來難以加工。材料領域的專長促成了 IoP 在半導體光電子學、固態激光工程和生物光子學方面的成功。
　　
　　IoP 副所長 Martin Dawson 教授評論說：“MIDDI 項目展示了英國大學是如何與工業領域合作并成功進行技術研發的。Element Six 設計了項目的任務，為先進的金剛石結構提供了受控的摻雜特性；學校通過研發一種雙方共同擁有專利的創新型干刻蝕方法來完成任務。這真實打開了生產金剛石電子產品之門，同時也拓寬了一系列新技術（包括金剛石光子學）的更廣泛應用，憑借 Element Six 的支持，斯特拉斯克萊德大學如今在該領域擁有非凡的影響力。”
　　
　　三個領域的成就
　　
　　該項目已在三個領域取得顯著成就，這將有助于 Element Six 為采用金剛石制造的主動電子設備的開發提供支持。首先，擁有原子級低粗糙度表面的基片和外延層生產中所采用的合成和加工技術得到改善。制造高精度金剛石納米層的能力取決于一系列復雜的加工和合成步驟。對于一個高頻主動電子設備來說，某些個別納米層要求厚度為幾納米。此外，這些納米層需要有原子級的平滑度和較度準確的雜質分布。
　　
　　其次，Element Six 現在能夠存放納米級厚度的摻硼金剛石薄層。依據 delta MESFET 這樣的金剛石提出來的主動交換設備概念使用這些夾在兩個未摻雜其他物質的原金剛石層之間的薄層來支持晶體管作用。較終 MIDDI 得出了一種可更新的一體刻蝕技術，適用于晶體管設備制造。