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ITO靶材 氧化銦錫靶材（ In2氧化銦錫靶材 氧化銦錫顆粒 純度：99.99% 分子式：ITO 配比：9:1 分子量：428.34 CAS號：50926-11-9 熔點：1565℃ 密度：7.1 折射率：2 透明波段：0.34-9um 致密度：大于99% 顏色：黑色 氧化銦錫用于鍍制透明導電膜，電熱膜，防紅外、紫外線、微波膜。配比可定制。
2024-06-25 面議/片 -
氧化銦（In2O3）靶材 99.99%氧化銦（In2O3）靶材 99.99% 元素 ： In?O? ???? 純度 ： 4N ???? 形狀 ： 平面靶材? 氧化銦陶瓷靶材，密度為 7.18g/cm3，熔點為850℃。氧化銦是一種化合物，是銦的兩性氧化物。它非常透明和導電。如需更多詳情，歡迎電話咨詢獲得更多優惠! ? 氧化銦陶瓷靶材制作方法 熱壓（HP）、熱/冷等靜壓（HIP、CIP）、真空熔煉、真空燒結 ? 氧化銦陶瓷靶材應用 氧
2024-06-25 面議/片 -
氧化釔（Y2O3）靶材 99.99%氧化釔（Y2O3）靶材 99.99% 純度：99.99% 分子式：Y2O3 分子量：225.81 CAS：1314-36-9 熔點：2680℃ 折射率：1.8-1.9 透明波段：0.23-9um 密度：4.8 氧化釔用于制造單晶、薄膜電容器和特種耐火材料，以及高壓水銀燈、激光、儲存元件等。 氧化釔陶瓷靶材，其熔點2410℃，密度5.01g/cm?，沸點4300℃ 。主要用作制造微波用磁性材料（單晶
2024-06-25 面議/片 -
二氧化釩（VO2）靶材 99.9%薄膜沉積技術 a. 磁控濺射 ·???????? 原理：磁控濺射利用高能粒子轟擊靶材，將靶材原子或分子濺射到襯底表面形成薄膜。這一過程在真空環境中進行，以確保薄膜的純凈度。 ·???????? 優勢：適用于大面積均勻薄膜的制備，且可通過改變濺射參數，如功率和氣壓，精確控制薄膜的厚度和組成。 ·???????? 應用：廣泛應用于光伏電池、平面顯示器和光電傳感器的生產。 b. 脈沖激光沉積（PLD）
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氧化釩（V2O5）靶材 99.99%氧化釩（V2O5）靶材? 99.99% 元素 ： V?O? ???? 純度 ： 3N ???? 形狀 ： 平面靶材? ? 氧化釩陶瓷靶材純度高達99.99%，其熔點690℃，密度3.36g/cm?。由于其高氧化態。從工業角度看，它是重要的釩化合物，是釩合金的主要前體。如需更多詳情，歡迎電話咨詢獲得更多優惠! ? 氧化釩陶瓷靶材應用 用于半導體、化學氣相沉積 (CVD)、物理氣相沉積 (PVD)
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氧化鎳（NiO）靶材 99.99%氧化鎳（NiO）靶材 99.99% 純度：99.9% 分子式：NiO 分子量：74.69 CAS號：1314-06-3 熔點：1960℃ 折射率：2-2.1 透明波段：0.52um 密度：7.45 氧化鎳為綠色粉末狀固體，熔點：1980±20℃，密度：6.67g/cm?，不溶于水，為堿性氧化物。用作搪瓷的密著劑和著色劑，陶瓷和玻璃的顏料。在磁性材料生產中用于生產鎳鋅鐵氧體等，以及用作制造鎳鹽原料、
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氧化鉭（Ta2O5）靶材 99.99%氧化鉭（Ta2O5）靶材 99.99% 元素 ： Ta?O? ???? 純度 ： 3N5 ???? 4N ???? 形狀 ： 平面靶材 ?? ? 氧化鉭陶瓷靶材是一種無機化合物，是一種白色固體鍍膜材料，其熔點1800℃，密度8.2g/cm?。在10-2Pa 真空下的蒸發溫度為1920℃。可用鉭、鎢舟、線圈加熱蒸發，也可由鎢鉗堝加熱蒸發，用電子束加熱蒸發效果良好。如需更多詳情，歡迎電話咨詢獲得更多優
2024-06-25 面議/片 -
氧化鉺（Er2O3 ）靶材 99.99靶材的制備過程 a. 粉末合成 ·???????? 原料選擇：選用高純度的原料是確保靶材質量的首要步驟。純度不僅影響靶材的結構完整性，還直接關系到最終薄膜的性能。 ·???????? 粉體處理：粉末的粒度和形態對后續燒結和性能有重要影響。通過球磨等方法，可以獲得均勻且具有適宜粒徑的粉末。 b. 燒結工藝 ·???????? 溫度控制：燒結溫度的精確控制對于獲得密實且均勻的靶材是關鍵。過高或過低的溫
2024-06-25 面議/片
