主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導體電子加工尺寸:長度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進行處理，將會是對稀貴材料的較大浪費；同時，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環利用。對于貨品靶材，由于材料價格昂貴，迫切需要對加工過程的余料殘屑的提純再利用及對殘進行回收加工增值服務，有效增加材料利用效率和節約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機械物理法回收和化學精煉提純回收。機械物理法可應用于單質金屬殘靶及加工廢料。通過機械切削對單質殘表面進行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質的方法對殘祀回收再利用。

鋁釹靶材主要是用于平面顯示器、觸摸屏的玻璃基板電極層的鍍膜。目前主要是 用真空熔煉和熱壓燒結方法研發和生產小尺寸平面靶，大尺寸靶是通過小尺寸拼接形成。 由于不是一體化（需要拼接）容易產生電弧放電，因此成膜質量差，難以真實應用到高質量 的顯示屏、觸摸屏上。盡管，人們已經采用真空熔煉生產空心鋁釹靶靶管，并通過銦焊綁定 到不銹鋼背管上生產鋁釹旋轉靶材。由于銦焊料昂貴（占整個靶材成本50% )導致鋁釹 旋轉靶材的成本高；另一方面，由于是一節節靶管拼接而成存在節縫，在使用時容易形成電 弧放電，降低成膜質量。此外，由于采用低熔點的銦焊接，靶材使用時發熱，容易導致脫靶現 象，還有鋁釹靶管焊接時熱收縮不容易控制，焊接難度大。

真空鍍膜機是在中間設置真空室，在真空室的左右兩側設置左右大門，而在其中配裝蒸發裝置和磁控裝置，可在該雙門上預留該兩裝置的接口，以備需要時換裝。真空鍍膜機一般都是由真空系統、蒸發系統、薄膜卷繞系統、冷卻系統、控制系統等主要部分組成。當薄膜運行速度達到一定數值后，打開擋板使氣態鋁微粒在移動的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續而光亮的金屬鋁層。通過控制金屬鋁的蒸發速度、基材薄膜的移動速度等來控制鍍鋁層的厚度，一般鍍鋁層厚度在250～500。而蒸發真空鍍膜機是專業在塑料表面進行蒸發鍍鋁、鉻、一氧化硅的專用設備，鍍出的膜層牢固且細密，是工業化生產的理想設備，其特點是它的環保性，真空鍍膜設備屬于無三廢、純凈的清潔生產設備。

綜合優勢顯著。濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發鍍膜以及離子鍍膜。綜合而言，蒸鍍薄膜的密度較差，只能達到理論密度的95%，鍍膜的附著力也較差，但是蒸鍍的鍍膜速率較快。離子鍍不但密度較高、晶粒較小，而且鍍膜與基板的附著力也是三種鍍膜中較大的，只是離子鍍膜較大的缺點是基板必需是導電材料，并且鍍膜時基板的溫度會升高到攝氏幾百度，上述的缺點使離子鍍的應用受到很大的限制。目前，濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，用濺射靶材沉積的薄膜致密度高，與基材之間的附著性好，所以從理論而言，濺射鍍膜的性質，牢固度都比熱蒸發和電子束蒸發薄膜好。產品包括金屬靶材（釕、金、銀、銠、銥、合金）、金屬靶材、陶瓷/氧化物靶材公司擁有雄厚的技術力量、現代化的準確設備和先進的檢測手段。

作為濺射靶材使用的難熔金屬主要指鎢鉬鉭鈮。難熔金屬材料作為濺射已經運用在包括液晶顯示器、薄膜太陽能光伏、智能玻璃在內的多個領域。其中難熔金屬旋轉靶材是制造難熔金屬薄膜的必選材料。難熔金屬靶材需要具備包括高密度，通常不低于理論密度的98%以及較低的氧含量，一般小于1000PPM。積初期通過純氬燒靶很容易去除，但如果不做處理，積會逐漸長大并引起嚴重的打弧影響生產。每次生產前應對靶材用強電流對靶材進行燒靶，以清理靶材表面的雜質。并定期對真空腔室進行打磨、吸塵及擦拭處理，對包網進行噴砂處理以去掉附著在上面的金屬反應物從而保證潔凈的鍍膜環境。鍍膜腔室的環境也會影響靶材的使用，從而影響成膜的質量。濺射鍍膜是制備薄膜的主要技術之一。

靶材的材料、形狀也會有所差異。根據形狀可分為長(正)方體形、圓柱體形、無規則形以及實心、空心靶材。靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術壁壘。銀是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽為半導體芯片材料的強者，半導體產業對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產業中的應用廣泛。

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