合金靶材：鎳銅合金靶， 鉻鋁合金靶，金鈀合金，金錫合金，金鍺鎳合金，鋁釩合金靶，鋁鉻釔合金靶，鋁硅合金靶，鋁硅銅合金靶，鋁鐵合金靶，鎂鉻合金靶，鉬鎳合金靶，鎳鉑合金靶，鎳釩合金靶，鎳鉻合金靶，鎳鉻鋁釔合金靶，鎳硅合金靶，鎳碳合金靶，鎳鐵合金靶，坡莫合金靶，鈦硅合金靶，鈦鋁硅合金靶，鈦硅碳合金靶，鈦鋁合金靶，鈦鎳合金靶，鈦鎢合金靶，鐵碲合金靶，鐵鉻鈷合金靶，鐵鈷合金靶，鐵鎳合金靶，鐵鈷鎳合金，鐵鈷釩合金，鐵鈷硼合金，鉑銠合金靶，銅鎵合金，鈷鎳鉻鋁釔合金，銅鉍合金靶，銅鋅合金，銅錫合金靶，銅硒合金靶，銅銀合金靶，鎢鈦合金靶，不銹鋼靶、鉬鈮靶、鋁釹靶、鋯鋁靶、鉻鎢靶、鉻釩靶、鈦鋁靶、銅鎵靶、銅銦鎵靶、銅銦鎵硒，鋅鋁靶等合金靶材。

在現有高速氧氣燃料噴涂（HVOF）基礎上又出現了高速空氣燃料噴涂（HVAF），后者噴涂速度與前者相同，但溫度下降至1000℃，氣作為助燃劑，成本大幅下降。近年來隨著材料科學和表面技術的快速發展，涌現出許多新型材料涂層，功能涂層。不同噴涂工藝的涂層。采用冷噴涂沉積Fe(Al)固溶體合金涂層并結合后熱處理原位反應制備了納米結構FeAl金屬間化合物涂層。結果表明，球磨Fe(Al)合金粉末具有精細的層狀結構，噴涂態Fe(Al)合金涂層具有不同于傳統熱噴涂涂層的獨特層狀結構。末類似的納米結構；在500℃熱處理后涂層中Fe(Al)固溶體轉變為FeAl金屬間化合物。其晶粒尺寸約為30nm。涂代加工，成為了現代工業的又一個趨勢。

硅錠的數據對于生產工藝的分析、質量提高、工藝改進都有重要的作用，所以應當妥善歸檔保存。以前，鑄錠完成后的硅錠直接去開方機進行開方。但現在，由于成本的要求，都希望將開方后的邊皮料和頂皮料再進行回收利用。由于邊皮料和頂皮料的回收利用需要清洗，因此，有些工作需要在開方前進行。首先，對硅錠進行噴砂處理，六個面均要噴掉1~5毫米厚。尤其是頂面，要噴掉的厚些。

磁控濺射也可以叫做高速低溫濺射，在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場和磁場相互垂直的磁控管原理減少電子對基的轟擊，使高速濺射成為可能。對Cu來說，濺射沉積速率為1.8μm/min時，溫升為2℃／μm。CU的自濺射可在10-6Pa的低壓下進行。熱壓法ITO靶材的熱壓制作過程是在濺射靶材石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的壓力單軸向加壓同時以1000℃～1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結溫度較低，燒結較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻。

鍍膜玻璃更離不開金屬靶材，濺射靶材的使用量及成本占行業中相當大的比重。濺射：是集成電路制造過程中要反復用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。在靶材制造的過程中，需要經歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。

目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節點來保證其穩定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。高純貨品靶材被譽為半導體芯片材料的強者，半導體產業對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。UVTM主要致力于研發、生產、營銷和銷售平板及旋轉式ITO靶材，及其它，公司內設有別的高科技先進實驗室。優美科生產的ITO靶材廣泛應用于液晶顯示面板、OLED(農業生產體系發光二極管)、觸摸屏、LED(發光二極管)、太陽能、汽車玻璃等領域，在平板及旋轉式ITO靶材領域一直處于應用創造者及技術領導者的地位。

主營產品：濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨 公司成立年份：2003
公司網址：http://UVTMCOM.glass.com.cn

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