目前，大部分國家的靶材制造行業，特別是高純度的靶材市場，呈現寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業把持著，如日本的三井礦業、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。 根據有研新材數據估算，日礦金屬是大部分國家大的靶材供應商，靶材銷售額約占大部分國家市場的30%，霍尼韋爾在并購Johnson Mattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產廠后，占到大部分國家市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。

隨著異質結技術的逐漸成熟，也可和其他光伏電池技術相結合，例如異質結 I電池、異質結鈣鈦礦疊層電池。作為行業內率先布局異質結的企業之一，東方日升在HJT技術研發、量產等方面均具備****優勢。其推出的行業內首半片HJT組件產品，效率高達21.9%，溫度系數為-0.24%/℃。穩定的溫度系數，保證了在極冷和極熱地區也能有穩定的收益率。同時，產品零光衰，無應力，沒有B-O效應引起的LID以及采用TCO膜抗PID保證長的耐久性和收益率。光伏領域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。其中光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。

投入新機的成本較少。但AMOLED等蒸鍍設備需要另外購入生產線。且未來能否對應7代線以上大型玻璃基板還是未知數，這么一來，整體的生產成本還是IGZO較有優勢。另外，IGZO面板的TFT元件和線路都在縮小，在相同面積下，原本只能裝入一顆subpixel的區域，現在可以裝入四個，而被遮光的面積卻沒有跟著變大，實現了“同等透過率2倍高精細化”，即可在很小的單位面積上實現很高的物理分辨率，而不需要增加背光的強度，這對于即將進入的4K時代更具意義，IGZO面板能夠達到500ppi，而AMOLED現階段無法做到300ppi。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比。

靶材密度合適，均勻性好，制備方便，生產效率高，節約成本，作用安全、可靠，用于鏡片鍍膜，不開裂，性能穩定，附著性好，形成的鍍膜具有很好的均勻性、導電性和透明性，可以有效切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及藍光，確保產品質量。優點:增加表面硬度、減少摩擦力;可低溫涂層，適合低溫零件;避免刀口之積屑現象;廣泛應用於鋼料成型加工。T中文名:氮碳化鈦;顏色:銀灰色;硬度:3300HV;摩擦系數:0.21VSNi;高工作溫度:450℃;優點:高表面硬度表面光滑;避免刀口之積屑現象;適合重切削;適合沖壓加工不銹鋼。芯片制造對濺射靶材金屬純度的要求較高，通常要達到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽能電池分別要求達到99.999%、99.995%以上即可。

PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發鍍膜以及離子鍍膜。主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節。靶材制造和濺射鍍膜環節是整個靶材產業鏈中的關鍵環節。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料，半導體材料市場占比在3%左右的濺射靶材。目前，③陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。復用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。什么是高純濺射靶材？就是利用各種高純單質貨品及新型化合物制得的功能薄膜為（簡單理解就是純度更高），材料純度、穩定性要求更高的領域，像集成電路、平板顯示器、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的要求是高的。

壓制成型：采用粉末冶金工藝制備的靶材需要對粉體料進行預壓，使之成為中等密度生坯，其密度的均勻性和內部的缺陷影響著后期高溫燒結的成品率。氣氛燒結：預壓成型的生坯需要再經過一次或多次的高溫燒結，根據不同材料選擇不同的燒結溫度曲線，并選擇不同的燒結環境，如燒結氣氛、燒結壓力等，從而制備成高密度的靶坯。塑性加工：金屬坯錠需經過大幅度的塑性變形，以獲得足夠的長寬厚度尺寸，并使得內部晶粒進行足夠的拉伸變形，從而在內部產生足夠多的位錯。熱處理：金屬坯錠在經過大幅度的塑形變形后，根據不同的材料的特性選擇熱處理工藝，從而使金屬材料發生重結晶去除內應力。超聲探傷：靶坯加工完后需要采用波進行檢查材料內部是否有缺陷。一方面在陰極靶的周圍。

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