? 理想能源以開發(fā)半導體設(shè)備的嚴謹態(tài)度和精細工藝來設(shè)計制造太陽能光伏設(shè)備。自2010年3月成功開發(fā)出靠前臺LPCVD設(shè)備以來,理想能源的設(shè)備已經(jīng)在客戶處平穩(wěn)運行至今。理想能源的設(shè)備具有以下特點 (加插圖1及插圖2): ? ? 精細穩(wěn)定:所鍍氧化物薄膜厚度可在100-1700納米范圍內(nèi)自由設(shè)定,膜厚均勻性低于10% ? ? 高產(chǎn)能:根據(jù)所鍍膜厚度不同,鍍膜節(jié)拍范圍40-170秒,設(shè)備有效工
2011-05-18 0