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二氧化硅（SiO2）靶材 99.99二氧化硅靶材 純度：99.99% 分子式：SiO2 分子量：60.084 CAS號：14808-60-7 密度：2.2 熔點：1610℃ 折射率：1.45 透明波段：0.2-9um 二氧化硅容易蒸發，放氣量小。
2024-06-03 面議/片 -
二氧化鈦（TiO2）靶材 99.99燒結是將氧化鈦粉末通過高溫加熱使其熔結粘合成塊狀物的工藝，其原理在于當氧化鈦粉末受熱升溫到一定程度時，晶粒會發生溶解和重排，同時還會發生固相擴散、氧化還原等化學反應，從而促進粒子間的結合。經過燒結后，氧化鈦靶材具有較高的致密度、機械性能、綜合性能等特點，可以大大提高材料利用率。
2024-06-03 面議/片 -
一氧化鈦（TiO）靶材 99.99%氧化鈦靶材是一種常用的薄膜材料，主要應用于太陽能電池、透明電極、染料敏化太陽能電池等領域。其優點在于具有較高的光電轉換率、光穩定性好等特性，因此備受矚目。而其中的燒結工藝則是氧化鈦靶材制備的關鍵環節。
2024-06-03 面議/片 -
PZT靶材 鈦鋯酸鉛 99.99%PZT壓電陶瓷是將二氧化鉛、鋯酸鉛、鈦酸鉛在1200度高溫下燒結而成的多晶體。具有正壓電效應和負壓電效應，PZT以及摻雜的PZT系列鐵電陶瓷成為近些年研究的焦點。
2024-06-03 面議/片 -
IGZO靶材 氧化銦鎵鋅 99.99IGZO靶材 （In2O3-Ga2O3-ZnO）純度：99.99%應用：IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20~30倍。IGZO用在新一代高性能薄膜晶體管(TFT)中作為溝道材料，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能
2024-05-31 面議/片 -
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FTO靶材 摻氟二氧化錫（SnO2FTO：摻氟二氧化錫（SnO2:F），主要用于磁控濺射透明導電膜。 摻氟二氧化錫(FTO)靶材的常見比例 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=95:5 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=98:2 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材 99.99% SnO2:F=90:10 wt%1.高溫條件下，錫化合物、氟化合物氣體反應制粉 2.FTO粉末研磨 3.
2024-05-31 面議/片 -
ATO靶材 SnO2/Sb203氧化錫銻（ATO）是一種新型透明導電氧化物薄膜，因具有資源豐富、價格低廉、無毒無污染，且禁帶寬度大（＞3.6eV）、導電性好、可見光透過率高、化學穩定性高、熱穩定性好等優點，而成為最有可能替代氧化銦錫（ITO）薄膜的材料之一。
2024-05-31 面議/片 -
AZO靶材 99.99%（氧化鋅鋁一、AZO靶材的定義及特點 AZO靶材，全稱氧化鋅鋁靶材，是一種特殊的摻雜型半導體材料。具體來說，它是由氧化鋅（ZnO）和鋁（Al）組成的復合材料，通常表述為ZnO:Al。AZO靶材在各種科技領域中都有著廣泛的應用，這歸功于其一系列獨特的物理和化學性質。 高密度 AZO靶材的高密度特性是其在涂膜過程中能夠保持均勻性的關鍵。高密度的AZO靶材可以保證在涂膜過程中的均勻性，從而提高最終制品的性能和質
2024-05-31 面議/片
