硅碳棒與硅鉬棒的區別硅碳棒發熱體與碳化硅相同，常溫下化學性能非常穩定，耐酸、堿侵蝕。但在高溫下使用時，它與氣氛中的氧、水蒸氣、氫、氮、氣體，以及堿類物質可發生反應，與碳化硅發熱體的壽命有關的化學性能。碳化硅發熱體的一般物理性能，其中較主要的性能是電阻率，它隨著溫度變化，呈雜質型半導體的特性。在500-600度時硅碳棒發熱體的電阻率較低；從室溫至500度，電阻與溫度呈負態特性變化；在此溫度范圍以上，電阻與溫度則呈正特性變化。碳化硅發熱體一般在800C以上使用，正好處于正特性變化范圍，因而溫度容易控制調節。碳化硅發熱體與水蒸氣的反應碳化硅發熱體可在較低的溫度下與水蒸氣發生，硅鉬棒發熱體的形狀主要有U形、W型，這主要是由于硅鉬棒燒結制品在高溫下的熱塑性較大，以避免棒形制品水平放置時在自重作用下的變形和便于克服溫熱膨脹。非發熱端部加粗，以增大斷面面積使電阻降低。硅鉬棒發熱體的制造工藝過程。主要原料：硅化鉬是以金屬Mo和Si在高溫下熔融合成的，一般采用擠壓法分別成型中部的發熱段與端部的非發熱段。然后在非氧化氣氛中，例如在氫氣中高溫燒結。燒結后將中部發熱段與端部非發熱段高溫焊接一起。較后對端部噴鍍金屬鋁成為接線端。在溫度為950度以上的氧化氣氛中，硅化鉬發熱體表靣發生氧化，生成連續的石英玻璃質薄膜保護層，并與發熱體的表面牢固結合，從而可防止發熱體受到進一步的氧化。我們在進行使用時，大家應當注意，凡能與這層Si〇2薄膜發生反應的氣體，如氫氣等，都能破壞Si〇2保護層。應當注意的是氫氣中的水分含量對硅化鉬發熱體的使用溫度有很大的影晌，硅鉬棒在真空高溫下會發生升華，真空度越高，硅化鉬發熱的較高使用溫度極限越低。