一種高致密度的硅鋁旋轉靶材的制備方法，它具有工藝簡單、所制備的靶材品質較佳的特點。本發明所采用的技術方案是：高致密度的硅鋁旋轉靶材的制備方法，包括以下步驟：(1)制備噴涂粉末；(2)預處理靶材背管；(3)對靶材背管噴涂打底層；(4)用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材。所述步驟(1)中，制備噴涂粉末的方法為：以質量百分比計，將90％-92％的硅粉與8％-10％的鋁粉混合后，在V型混粉機中均勻混粉4-6小時，然后在90—110°的烘干箱中烘干4-6小時。所述硅粉純度不低于99.9％，該硅粉中，以質量百分比計，20％-50％的硅粉的粒度為125-160μm，其余硅粉粒度為45-125μm。所述鋁粉純度不低于99.9％、粒度為75-100μm。

所述步驟(2)中，預處理靶材背管的方法為：超聲波清洗，然后噴砂粗化。所述步驟(3)中，對靶材背管噴涂打底層為：采用電弧噴涂法在靶材背管表面噴涂鎳鋁合金。所述步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，噴涂工裝的主軸轉速為200-240r/min，噴槍與背管間的噴涂距離控制為100-130mm，噴****移動速度為2000—2400mm/min。所述步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，控制靶材表面溫度不超過90℃。本發明和現有技術相比所具有的優點是：工藝簡單、所制備的靶材品質較佳。本發明的高致密度的硅鋁旋轉靶材的制備方法所制備的靶材結構致密、成分均勻、導電性好、無裂紋。

其噴涂長度和直徑不受限制，厚度可達13mm，相對密度不低于93％，且本發明提供的制備方法，生產過程簡單便捷，成本較低。具體實施方式實施例1高致密度的硅鋁旋轉靶材的制備方法，具體為在外徑133mm，長度850mm的靶材背管上，噴涂不低于4mm厚的硅鋁靶材。包括以下步驟：(1)制備噴涂粉末；(2)預處理靶材背管；(3)對靶材背管噴涂打底層；(4)用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材。其中：步驟(1)中，制備噴涂粉末的方法為：以質量百分比計，將90％的硅粉與10％的鋁粉混合后，在V型混粉機中均勻混粉4小時，然后在90°的烘干箱中烘干4小時。同時，采用的硅粉純度不低于99.9％。該硅粉中，以質量百分比計。

20％的硅粉的平均粒度為125μm，其余硅粉的平均粒度為45μm。鋁粉純度不低于99.9％、平均粒度為75μm。步驟(2)中，預處理靶材背管的方法為：將硅鋁靶材在超聲波清洗機中超聲波清洗40分鐘，然后噴砂粗化。步驟(3)中，對靶材背管噴涂打底層為：采用電弧噴涂法在靶材背管表面噴涂厚度為0.1mm鎳鋁合金。電弧噴涂的具體工藝參數可以見表表1電弧噴涂打底層的工藝參數工藝參數電壓電流絲材直徑送絲速度噴涂壓力參數值40V350A2.5mm130mm/s0.5MPa步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，噴涂工裝的主軸轉速為200r/min，噴槍與背管間的噴涂距離控制為100mm。

噴****移動速度為2000mm/min。步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，控制靶材表面溫度不超過90℃。比如，綜合運用水冷管與****冷卻噴涂靶材。本實施例1制備的硅鋁旋轉靶材為黑色，厚度4.2mm，用阿基米德排水法檢測密度為2.201g/cm3，相對密度為93.3％，電阻率為11.7mΩ.cm，說明其結構致密、導電性較好，且檢測無裂紋。同時，與真空等離子噴涂等方式比較，本實施例的制備方法無需進行抽真空、充保護氣體等步驟，從而成本較低、生產過程簡單便捷。本實施例引入在V型機中進行混粉的步驟，確保產品成分較為均勻。實施例2高致密度的硅鋁旋轉靶材的制備方法，具體為在外徑133mm。

長度3191mm的靶材背管上，噴涂不低于9mm厚的硅鋁靶材。包括以下步驟：(1)制備噴涂粉末；(2)預處理靶材背管；(3)對靶材背管噴涂打底層；(4)用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材。其中：步驟(1)中，制備噴涂粉末的方法為：以質量百分比計，將91％的硅粉與9％的鋁粉混合后，在V型混粉機中均勻混粉5小時，然后在100°的烘干箱中烘干5小時。同時，采用的硅粉純度不低于99.9％。該硅粉中，以質量百分比計，35％的硅粉的平均粒度為135μm，其余硅粉平均粒度為80μm。鋁粉純度不低于99.9％、平均粒度為80μm。步驟(2)中，預處理靶材背管的方法為：將硅鋁靶材在超聲波清洗機中超聲波清洗30分鐘。

然后噴砂粗化。步驟(3)中，對靶材背管噴涂打底層為：采用電弧噴涂法在靶材背管表面噴涂厚度為0.2mm鎳鋁合金。電弧噴涂的具體工藝參數可以見表表2電弧噴涂打底層的工藝參數工藝參數電壓電流絲材直徑送絲速度噴涂壓力參數值40V370A2.5mm150mm/s0.5MPa步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，噴涂工裝的主軸轉速為230r/min，噴涂距離110mm，噴****移動速度為2200mm/min，步驟(4)中，用等離子噴涂工藝在靶材背管上制備硅鋁靶材的過程中，控制靶材表面溫度不超過90℃。比如，綜合運用水冷管與****冷卻噴涂靶材。

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