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廣州市尤特新材料有限公司

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主營:濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉(zhuǎn)靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨

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氧化鋁靶材,射頻靶材,氧化鋁旋轉(zhuǎn)靶,旋轉(zhuǎn)氧化鋁靶

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    發(fā)布公司:廣州市尤特新材料有限公司

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    發(fā)貨地點:廣東 廣州 花都區(qū)

    發(fā)布時間:2024年07月30日

    有效期至:2025年01月30日

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    基本信息

    UVTM是國家高新技術(shù)企業(yè),公司成立于二00三年,專業(yè)從事信息、鍍膜、太陽能材料的科研與生產(chǎn)。公司從德國、日本、引進(jìn)先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測設(shè)備和專業(yè)人才,是集科研、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的中外合資企業(yè)。UVTM廣州工廠建成于2006年,位于花都區(qū)華僑科技工業(yè)園,占地面積近3萬平方米,建筑面積239平方米,地理近臨廣州國際白云機場,交地便利。磁控濺射技術(shù)是70年展起來的一種新型濺射技術(shù),目前已在科研和生產(chǎn)中實際應(yīng)用.磁控濺射鍍膜主要用于電子工業(yè)、磁性材料及記錄介質(zhì)、光學(xué)及光導(dǎo)通訊等,具有高速、低溫、低損傷等優(yōu)點.高速是指沉積速率快;自20世紀(jì)90年代以來,隨著消費電子等終端應(yīng)用市場的飛速發(fā)展,高純?yōu)R射靶材的市場規(guī)模日益擴大,呈現(xiàn)高速增長的勢頭。據(jù)統(tǒng)計,2016年世界高純?yōu)R射靶材市場的年銷售額約113.6億美元。其中,平板顯示用靶材(含觸摸屏)年市場銷售額38.1億美元,占比34%;記錄媒體用靶材年市場銷售額為33.5億美元,占比29%;太陽能電池用靶材市場銷售額23.4億美元,占比21%;半導(dǎo)體用靶材年銷售額11.9億美元,占比10%。

    尤特新材成立于2003年,是一家致力于新材料研發(fā)和應(yīng)用的國家高新技術(shù)企業(yè)。坐落在美麗的花城之都-廣州市花都區(qū),東鄰廣州白云國際機場,西靠廣州北火車站,占地面積3萬多平方米。主營業(yè)務(wù):真空鍍膜、光電信息等新材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)。主要產(chǎn)品:磁控濺射靶材,分為陶瓷靶材、金屬靶材、合金靶材。應(yīng)用領(lǐng)域:應(yīng)用于平面顯示工業(yè)、薄膜太陽能工業(yè)、半導(dǎo)體鍍膜工業(yè)、建筑/汽車玻璃工業(yè)和裝飾/功能鍍膜工業(yè)。ITO靶材具有較高的技術(shù)與客戶壁壘導(dǎo)致日美跨國公司形成壟斷優(yōu)勢,行業(yè)集中度高,且產(chǎn)業(yè)格長期維持在相對穩(wěn)定的狀態(tài)。一方面濺射鍍膜工藝起源于國外,對所需濺射靶材的性能要求高、專業(yè)性強,屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),新進(jìn)入者無論在技術(shù)、設(shè)備、人才等各方面均需要大規(guī)模投入;濺射。

    通過抽真空、封口可以進(jìn)一步防止污染以及損壞靶材。具體地,緩沖塊優(yōu)選設(shè)置為泡沫塊,便于起到緩沖作用,防止靶材損壞。將ITO靶材沉積到PET基板上,就形成ITO導(dǎo)電薄膜;將ITO靶材沉積到玻璃基板上,就形成ITO導(dǎo)電玻璃基板。如果將大塊的ITO導(dǎo)電基板應(yīng)用于各種不同尺寸的電子產(chǎn)品上,對其切割是必要的一個過程,電子產(chǎn)品上所須得薄膜都需要精細(xì)加工,也即邊緣必須保持光滑不磨手、大小尺寸適中等,所以傳統(tǒng)的剪裁加工注定跟不上時代節(jié)奏步伐,這時的激光切割就顯得特別重要。電阻式觸摸屏。在液晶顯示器和觸摸屏領(lǐng)域,由于對顯示效果和傳感響應(yīng)很高的要求,ITO主要了現(xiàn)有液晶顯示器和觸摸屏的透明電極,特別是在觸摸屏領(lǐng)域。液晶顯示器主要使用ITO導(dǎo)電玻璃。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形,主要是將導(dǎo)電玻璃上的透明電極蝕刻制成特定形狀的電極。靶賣。

    上海和廣州是全國經(jīng)濟中心城市,是國際的港口城市,也是長三角的****城市。這里人才匯集、資源匯聚,對于長三角乃至于全國的發(fā)展都有重要的帶領(lǐng)和示范作用。由于半導(dǎo)體濺射靶材市場與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系,以中國大陸晶圓廠產(chǎn)能占大部分國家比例為15%計算。2018年中國半導(dǎo)體濺射靶材市場約1.2億美元,隨著晶圓廠產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移,半導(dǎo)體用靶材市場將達(dá)到1.5億美元。同比增長25%。日本日礦金屬、東曹公司,美國霍尼韋爾、普萊克斯公司。濺射靶材是用濺射法沉積薄膜的原材料,主要應(yīng)用于面板顯示、半導(dǎo)體和磁記錄薄膜太陽能領(lǐng)域。特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的氣相沉積工藝,是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。

    一般采用Z r O2、B i 2 O 3、C e O等作為燒結(jié)添加劑,能夠獲得密度為理論值的9 3 %~9 8 %的靶材,這種方式形成的I T O薄膜的性能與添加劑的關(guān)系較大。日本的科學(xué)家采用B i z o作為添加劑,B i 2 O3在8 2 0 C r熔化,在l 5 0 0℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā),這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒,這樣可以簡化前期的工序。采川這樣的靶材得到的I T O薄膜的屯阻率達(dá)到8.1×1 0 n- c m,接近純的I T O薄膜的電阻率。F P D和導(dǎo)電玻璃的尺寸都相當(dāng)火,導(dǎo)電玻璃的寬度甚至可以達(dá)到3 1 3 3 _,為了提高靶材的利用率,開發(fā)了不同形狀的I T O靶材,如圓柱形等。2 0 0 0年,國家發(fā)展計劃委員會、科學(xué)技術(shù)部在《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域指南》中,I T O大型靶材也列入其中。錫靶。

    什么是靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積:靶中毒時,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達(dá)陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進(jìn)入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進(jìn)行下去。、(2)陽極消失:靶中毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。靶中毒的物理解釋(1)一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導(dǎo)通能力磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設(shè)備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。

    銦作為稀散金屬在地殼中含量極低,但資源儲量和產(chǎn)量分布極為集中。銦在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有極為重要的作用,是平板顯示、電子半導(dǎo)體和光伏等產(chǎn)業(yè)不可或缺的原料,使其成為世界各國關(guān)注的熱點。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。平板顯示靶材技術(shù)要求也很高,它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。半導(dǎo)體晶圓制造中,200mm(8寸)及以下晶圓制造通常以鋁制程為主,使用的靶材以鋁、鈦元素為主。300mm(12寸)晶圓制造,多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù),主要使用銅、鉭靶材。同時也用鈦材料作為高介電常數(shù)的介質(zhì)金屬柵極技術(shù)的主要材料,鋁材料作為晶圓接合焊盤工藝的主要材料。

    靶材成本居高不下,是異質(zhì)結(jié)電池產(chǎn)業(yè)化過程中的一個大阻礙。靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,故靶材也叫濺射靶材(純度:99.9%-99.999%),具有較高的技術(shù)壁壘。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導(dǎo)電層薄膜材料之一。和超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比,太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低,99.995%(4N5)以上。與國際企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比,我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距,市場影響力相對有限,尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領(lǐng)域,高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展。我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新。al。

    金屬鈧靶材Sc,貨品銀靶材Ag,金屬硅靶材Si,難熔金屬鉭靶材Ta,稀土金屬銩靶材Tm,金屬錫靶材Sn,金屬鈦靶材Ti,難熔金屬鎢靶材W,金屬釩靶材V,稀土金屬鐿靶材Yb,稀土金屬釔靶材Y,靶材Zr,金屬鋅靶材Zn,鋨靶材Os,銠靶材Rh,在半導(dǎo)體濺射靶材方面,國內(nèi)與國際差距主要在濺射靶材上游材料(非常高純原材料方面)與服務(wù)于集成電路先進(jìn)制程的新產(chǎn)品。濺射鍍膜技術(shù)起源于國外,所需要的濺射材料——靶材也起源發(fā)展于國外。國外靶材公司,在靶材研發(fā)生產(chǎn)方面已有幾十年的積淀。同時,隨著半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的不斷深化,以美國、日本和德國為代表的半導(dǎo)體廠商加強對上游原材料的創(chuàng)新力度,從而更大限度地保證半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性。

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