? ? ? 真空鍍膜機的發展相當迅速,隨著生產率的提高,生產費用大大降低,已經為真空鍍膜產品的普遍使用鋪平了道路。以卷繞式真空鍍膜機為例,剛開發時可鍍的薄膜基材寬度是150mm,目前已達2253mm。基材卷筒的卷徑是1000mm,卷繞速度750m/min。自動裝卸的半連續卷繞式真空鍍膜機鍍膜占整個周期的75%,操作只占25%。隨著計測技術、控制技術的進步和電子計算機的應用,卷繞式真空鍍膜機正向著高
2024-08-19 面議/套旋轉鈮靶/旋轉鋅鋁靶/旋轉氧化鈮靶 純度:≥99.95% 應用:主要用于LOW- E鍍膜玻璃,薄膜太陽能電池電極膜系, TFT-LCD ,半導體電子加工尺寸:長度: 4000MM厚度: 6-10MM ,直型、狗骨型,按客戶要求定做鈮靶材與其源材料具有相同的特性。鈮是一種銀灰色的、稀有的、質地較軟且具有延展性的過渡金屬,它的熔點為2468*C ,密度為8.57g/cm3 ,蒸氣壓為0.0755帕(2
2024-08-17 面議/套鋁銅合金靶材(Al-Cu),鋁鉻合金靶材(Al-Cr),鋁鎂合金靶材(Al-Mg),鋁硅合金靶材(Al-Si),鋁銀合金靶材(Al-Ag) ,銅鎵合金靶材(Cu-Ga),銅銦合金靶材 (CuIn),銅鎳合金靶材 (Cu-Ni),銥錳合金(Ir-Mn),鎳鉻合金靶材 (Ni-Cr),鎳鈮鈦合金靶材 (NiNbTi) ,鎳鈦合金靶材 (Ni-Ti),鎳釩合金靶材 (Ni-V)旋轉靶材。鍍膜靶材是通過磁
2024-08-17 面議/套日本日礦和三井為主,其兩家幾乎占據了高等TFT-LCD市場用ITO靶材的全部份額和大部分的觸摸屏面板市場。當前國內平板顯示和光伏產業發展迅速,ITO靶材制造技術不斷取得打破,未來我國將可能會成為銦純****國,應大力發展國內更新銦產業,建立健全銦儲備機制,并加強與重要資源國的產能合作,保障國內新興產業發展的資源需求。生產氧化銦的材料是金屬銦,銦作為稀散金屬在地殼中含量極低,但資源儲量和產量分布極為
2024-08-17 面議/套半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料,制造材料包括硅片(37%)、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學品、電子氣體、CMP拋光材料、以及靶材等;(39%)、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國內占據了大部分中等和要求不高的靶材市場份額。國內靶材公司的發展趨勢如何?目前全球端高靶材市場主要分布于韓國、灣臺、中國、日本,主要供應商在日本,韓國。 中國市場目前年消耗ITO靶材約300噸,但
2024-08-17 面議/套冷噴涂技術制備的涂層具有氧化物含量低、涂層熱應力小、硬度高、結合強度好,可將噴涂材料的組織結構在不發生變化的條件下轉移到基體表面等優點,對于涂層的制備技術具有重要價值,同時在制備復雜結構材料的復合技術方面也發揮很大的作用。冷噴涂可以實現低溫狀態下的金屬沉積,可以制備厚涂層, 涂層厚度可達到毫米級。 真空鍍膜機增透膜增加透射光強度的實質是作為電磁波的光波在傳播的過程中,在不同介質的分界面上,由于邊界
2024-08-17 面議/條高純靶材主要用于對材料純度、穩定性要求更高的領域,像集成電路、平板顯示器、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業。在濺射靶材應用領域中,半導體芯片對濺射靶材的要求是比較高的,要求靶材純度很高,一般在5N(99.999%)以上。半導體產業對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求非常高,隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來,相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發展,同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求
2024-08-17 面議/套應用:主要用于表面裝飾及功能鍍膜以及蒸鍍材料,半導體電子, TFT, 平面顯示 產品化學成分和物理性能: 化學式:Al 成型工藝:噴涂 密度:? >2.6g/cm3 純度:? > 99.9% 較大雜質含量 (單位:? ppm, 總雜質含量≤ 1000ppm) 長度L 4000MM ???厚度T6-13MM 直型、狗骨型 按客戶要求定做 包裝方式:真空密封包裝,使用標準出口木箱。 ? ? ? 冷噴涂
2024-08-17 面議/千克旋轉氧化鈦靶 Rotatable TiOx target應用:用于制作TiO2膜,主要用于光學玻璃AR膜系,Low-E玻璃膜系 熱噴涂技術是一種利用熱源將材料加熱至熔化或半熔化狀態,并以一定的速度噴射沉積到預處理表面形成涂層的方法。熱噴涂技術的沉積效率較高,因此可以快速,低成本地實現大面積功能層的制備。此外,熱噴涂技術操作簡單,成本低廉,因此有望實現固體氧化物燃料電池從電解質、連接體,到多孔電極和
2024-08-17 面議/條